双面抛光硅单晶表面光电压的计算

摘要

在小注入、稳定光照、忽略电场影响的情况下， 简要分析了影响光电压大小的因素。设样品的少子产生率仅是一维坐标的函数， 计算了Ｐ 型双面抛光硅单晶样品的表面光电压。结果表明， 表面势、光照强度对表面光电压的影响较大， 少数载流子在硅中的扩散长度、样品厚度等对表面光电压也有一定的影响。由于背抛光面对受光面入射光的反射， 使得少子产生率和受光面表面光电压都高于单面抛光片。