用光学方法研究掺硼a—Si1—xCx：膜的隙态密度

摘要

用光透射法测得了 p-a-Si_(1-x)C_x∶H 膜的隙态密度。对于与隙态有关的弱吸收区,利用 Mott-Davis 近似和隙态为高斯分布的假设,得到了远离平衡费米能级处的隙态分布。对于未掺杂和轻掺杂样品,隙态高斯分布的峰值 N(E_t)约为10^(18)/cm^3·eV 的数量级,随着掺 B 量的增加 N(E_t)也增大。