首页> 中文期刊> 《无机材料学报》 >NaCl晶体中位错电荷的温度效应

NaCl晶体中位错电荷的温度效应

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文研究了在不同温度(10℃≤t≤125℃)下、发现 NaCl 晶体中的位错电荷随着温度的升高,位错电荷增加,从而得到了自由空位的激发能 U_(ai)=0.322eV,而空位解吸时释放能量 U_d=0.011eV.

著录项

来源
《无机材料学报》 |1993年第2期|146-150|共5页
作者
闫福安; 黄颂羽;
展开▼
作者单位

不详;

不详;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类钠Na;
关键词
位错电荷; 氯化钠; 晶体; 温度相关;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 013取向Cu单晶体在NaCl水溶液中腐蚀疲劳位错结构的观察 [J] . 杨继红 ,贾维平 ,李守新 . 金属学报 . 2004,第1期
2. 钛宝石晶体中的位错以及退火对位错的影响 [J] . 曾贵平 ,殷绍唐 ,秦青海 . 硅酸盐学报 . 2001,第2期
3. 位错的统计力学以及位错引起晶体的熔化理论 [J] . 张晓燕 ,陈湘香 ,刘克家 . 上海应用技术学院学报（自然科学版） . 2010,第002期
4. 摇摆晶体法研究六角密堆单晶体中的位错结构(英文) [J] . Y.Hao ,F.Mucklich ,G.Petzow . 金属学报 . 1997,第2期
5. 非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质 [J] . 朱蓉辉 ,曾一平 ,卜俊鹏 . 半导体学报：英文版 . 2008,第9期
6. 硅晶体定向凝固生长中位错的形核机制——分子动力学模拟观察 [C] . 周耐根 ,周浪 . 第十三届全国太阳级硅及光伏发电研讨会 . 2017
7. NaCl结构离子晶体中1/2〈110〉{110}位错性质研究 [A] . 刘利利 . 2012

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号