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ITO靶材在磁控溅射过程中的毒化现象

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研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.

著录项

来源
《无机材料学报》 |2002年第5期|1083-1088|共6页
作者
孔伟华;
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作者单位

西北稀有金属材料研究院宁夏特种材料重点实验室,宁夏753000;

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正文语种 chi
中图分类粉末成型、烧结及后处理;
关键词
直流磁控反应溅射; ITO; 毒化现象;

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