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陈志强; 方国家; 李春; 盛苏; 赵兴中;
武汉大学物理科学与技术学院、纳米科技中心,武汉,430072;
ZnMgO:Ga膜; 脉冲激光沉积; 沉积温度; 真空退火;
机译:脉冲激光沉积技术制备的掺Ga的Zn0.9Mg0.1O透明导电薄膜的制备及真空退火
机译:PLD法在COP衬底上制备氧化锌透明导电膜的性能
机译:使用导电灯丝制造宽带隙透明电极:垂直型GaN LED的性能突破
机译:PLDPLD制备ZnMnGaOZnMnGaO ZnMnGaO ZnMnGaO_4纳米棋盘状薄膜制备纳米棋盘状薄膜
机译:宽带隙透明导电氧化物薄膜的实验研究。
机译:在透明导电F:基于Chalcyostite的水分裂串联装置的透明导电F:SnO2基材上集成的宽带隙Cu(in,Ga)S2光电阴极
机译:Inas(1-x)p(x)合金外延膜的制备及光能隙。
机译:能够通过酸处理降低导电聚合物的带隙来提高导电膜的透射率和导电率的导电膜的后处理方法以及使用该导电膜的导电膜
机译:处理宽带隙半导体晶片的方法,形成多个薄的宽带隙半导体晶片的方法以及宽带隙半导体晶片
机译:用于处理宽带隙半导体晶片的方法,用于形成多个薄宽带隙半导体晶片的方法以及宽带隙半导体晶片
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