高电场下In0.53Ga0.47As／In0.52Al0.48As宽量子阱中11h激光电…

摘要

研究在外加电场０～５０ｋＶ／ｃｍ范围内，Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７ａｓ／Ｉｎ０．５２ａｌ０．４８宽量子阱电透射光谱中１１ｈ激子跃迁的谱线宽度（ＦＷＨＭ）。它可分解为由温度及界面粗糙度引起的非均匀展宽（高斯型）和由外场引起的均匀展宽（劳伦兹型）。用线性叠加的近似公式代替高斯和劳伦兹方程的卷积，再与实验光谱拟合。谱线总宽度Ｔ、高斯展宽成份ＴＧ及线性叠加系数η均作为拟合参数得到，从而可得劳伦兹展宽ＴＬ。将