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刘一兵;
湖南大学电气与信息工程学院,湖南,长沙,410082;
邵阳职业技术学院机电工程系,湖南,邵阳,422000;
氮化镓; 蓝光LED; 峰值波长蓝移; 压电效应; 多量子阱;
机译:确定GaN基蓝光LED结温的非接触方法
机译:在4.2-400 K的温度范围内,电流密度对GaN基蓝光LED的发射行为产生影响
机译:电致发光峰值波长蓝移可忽略不计的InGaN量子点绿色发光二极管
机译:GaN基蓝光LED中向前隧道电流分析
机译:飞秒时间分辨的高强度激光脉冲蓝移现象,研究了等离子体的产生和动力学。
机译:激光发射前GaN基激光二极管效率下垂现象的研究
机译:通过峰值波长稳定化减少基于gan的白色发光二极管的颜色变化
机译:GaN中应变的理论分析及其对载流子电导率的影响
机译:GaN自持基体,GaN自持基体和蓝光LED的制造方法
机译:外延生长用基板,GaN基半导体膜的制造方法,GaN基半导体膜,GaN基半导体发光元件和GaN基半导体发光元件的制造方法
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
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