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混合应变量子阱半导体光放大器噪声特性研究

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摘要

研究了直接耦合混合应变量子阱ＳＯＡ的噪声特性．实验测定ＳＯＡ在１３０ｍＡ偏置电流下的噪声指数为７．７ｄＢ，表明应变量子阱结构改善了ＳＯＡ的噪声性能．理论分析指出，通过消除ＳＯＡ的剩余反射，其噪声性能可以得到进一步的改善．

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来源
《华中理工大学学报》|1999年第8期|90-92|共3页
作者
段子刚; 姚芳; 刘德明; 黄德修;
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作者单位

华中理工大学光电子工程系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体光电器件;
关键词
半导体光放大器; 应变量子阱; 噪声指数;

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