首页> 中文期刊>电子世界 >集成双波导量子阱结构半导体光放大器的增益特性研究

集成双波导量子阱结构半导体光放大器的增益特性研究

     

摘要

在分析半导体能带结构的基础上,给出了量子阱结构半导体材料增益的理论分析模型,并对考虑价带混合效应的应变量子阱结构半导体的材料增益特性进行了数值仿真分析。基于集成双波导半导体光放大器的光开关矩阵在全光包交换、全光波长转换方面具有明显的优势,而集成双波导半导体光放大器的光增益特性又是其光开关矩阵最主要的特性之一,因此研究其增益特性意义重大。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号