首页> 中文期刊> 《华中科技大学学报：自然科学版》 >碲镉汞退火过程的电子结构变化的理论模型

碲镉汞退火过程的电子结构变化的理论模型

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文提出了退火过程中碲镉汞电子结构变化的理论模型,并根据此理论模型建立了理论公式.由理论公式经计算得出的理论曲线与实验曲线很好地吻合,从而证明了理论模型的正确性.

著录项

来源
《华中科技大学学报：自然科学版》 |1991年第1期|45-48|共4页
作者
张端明; 王建安; 李国元;
展开▼
作者单位

华中理工大学物理系;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外光学材料;
关键词
碲镉汞; 退火; 电子结构; 缺陷; 电阻;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 碲镉汞电子结构缺陷的正电子湮灭研究 [J] . 王建安 ,何元金 . 华中理工大学学报 . 1991,第001期
2. 退火对非晶态碲镉汞薄膜微结构和光敏性的影响 [J] . 李雄军 ,孔金丞 ,王光华 . 红外技术 . 2010,第005期
3. 砷注入碲镉汞的激光退火 [J] . 张燕 ,李向阳 ,姜润清 . 红外技术 . 2000,第004期
4. 激光能量对碲镉汞注入样品退火效果的影响 [J] . 张燕 ,李向阳 ,方家熊 . 功能材料与器件学报 . 2000,第4期
5. 长波碲镉汞材料的低温退火 [J] . 王金义 . 激光与红外 . 1995,第001期
6. 退火对非晶态碲镉汞薄膜稳定态光电导的影响 [C] . 余连杰 ,史衍丽 ,李雄军 . 2011全国光电子与量子电子学技术大会 . 2011
7. 碲镉汞中红外光电探测器阵列温度标定方法研究 [A] . 安晏阳 . 2020

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号