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PZT／Si异质结的电特性研究

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摘要

采用Ｓｏｌ／Ｇｅｌ工艺制备ＰＺＴ／Ｓｉ结构，从该结构的极化特性、开关特性和Ｉ－Ｖ特性等方面研究了硅衬底上铁电薄膜的自偏压异质结特性．并以这种效应分析了ＦＲＡＭ电容中铁电薄膜的疲劳机制．

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来源
《华中理工大学学报》|1996年第5期|79-81|共3页
作者
于军; 周文利;
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作者单位

固体电子学系;

固体电子学系;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类其他半导体材料;
关键词
铁电薄膜; 自偏夺民; 质结; Sol－Gel工艺; 电特性;

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