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铝硅面垒型半导体探测器作为标定手段的论证

         

摘要

对用铝硅面垒型半导体探测器作为标定手段进行了充分的论证。该探测器可以用来测试软X射线,较之于全吸收充电氙电离室,它有体积小,使用方便等优点;比金硅面垒型半导体探测器的透射率又大得多,文章对各种物理机制引出的诸修正项和各种参量测量的误差,做了认真的考虑,分析了和计算。结果表明,总精度和小10%。

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