SHJ电池用单晶硅绒面织构及界面钝化工艺研究

摘要

采用(100)晶向N型抛光单晶硅衬底,研究氢氧化钠与IPA混合溶液体系对单晶硅片各向异性腐蚀过程,通过优化氢氧化钠质量浓度、IPA体积含量、溶液温度和腐蚀时间等影响参量,制备出反射率10.65%的金字塔绒面结构;采用PECVD沉积技术制备非晶硅钝化层,优化硅烷沉积浓度,在6%的硅烷浓度下制备出光敏性在10^(5)非晶硅钝化层,硅片少子寿命为951μs。利用上述优化参数,制备出开路电压(Voc)为0.64 V,电池效率为16.89%的SHJ太阳能电池。