半导体硅片微裂纹缺陷的红外显微热成像检测

摘要

为提高半导体硅片缺陷检测的可靠性,提出线性调频激光激励红外显微热成像检测方法.采用808 nm激光器热激励含有微裂纹缺陷的样件,以红外热像仪采集表面热图序列,利用傅里叶变换算法,分析半导体硅片微裂纹宽度、光源激励功率、初始频率和终止频率对检测信噪比的影响.结果表明,微裂纹宽度越大,检测信噪比越大,缺陷越易被检测.较高的激光激励功率和较小的初始频率和终止频率,有利于增大检测信噪比,扫描时间对信噪比影响很小.