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AlGaAs/GaAs HBT的设计与研制

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分析了AlGaAs/GaAsHBT的原理和材料结构,详细介绍了AlGaAs/GaAsHBT的器件结构及工艺流程,并对两方面进行了优化,研制出了特性较好的AlGaAs/GaAs HBT,其电流放大系数达到180,是目前国内报道的最高水平;开启电压小于0.3 V.

著录项

来源
《河北工业大学学报》 |2005年第6期|87-90|共4页
作者
胡海蓉; 牛萍娟; 胡海洋; 郭维廉;
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作者单位

天津工业大学,信息与通信工程学院,天津,300160;

天津工业大学,信息与通信工程学院,天津,300160;

中国科学院半导体研究所,北京,100083;

天津工业大学,信息与通信工程学院,天津,300160;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类二极管：按作用分 ;
关键词
AlGaAs/GaAs; 异质结双极晶体管 ; 工艺;

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