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梁家昌;
中国民航学院;
Ga_xIn_(1-x)P外延膜; 成份调制; 有序度; 施主一受主对的能量方程;
机译:Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)/ GaSb和Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)/ InAs中的电子结构对衬底的影响
机译:衬底晶体对异质外延Ga_xIn_(1-x)P / GaP结构中机械应力的影响
机译:有机金属气相外延生长Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)外延层中As和P的热力学模型
机译:MOVPE生长参数对GaAs上ZnS / sub x / Se / sub 1-x /(O> x> 1)外延层光致发光线宽的影响
机译:镧系元素离子注入对氮化硅膜中嵌入的硅纳米晶体光致发光的影响。
机译:Ge纳米晶体对Er2O3:ZnO和Ge共溅射膜中1.54μm光致发光增强的影响
机译:精细调制铁电体中的外延应变:DyscO3上的pbxsr(1-x)TiO3
机译:Zn(1-x)Cd(x)se厚外延层和Zn(1-x)Cd(x)se / Znse应变层多量子阱光致发光谱中光学跃迁的静水压研究
机译:ALXGA(1-X)AS基板,红外LED外延晶片,红外LED,制造ALXGA(1-X)AS基板的工艺,制造用于红外LED的外延晶片的方法以及制造红外LED的方法
机译:AlxGa(1-x)作为基板,红外LED用外延晶片,红外LED,AlxGa(1-x)AS基板的制造方法,红外LED用外延晶片的制造方法以及红外LED的制造方法
机译:ALXGA(1-X)AS基体,红外LED的外延晶片,红外LED,生产ALXGA(1-X)AS基体,红外LED的外延晶片的生产方法以及红外LED的生产方法
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