一种汽相外延Ga_xIn_(1-x)As的技术

摘要

本文描述了一种汽相外延Ga_xIn_(1-x)As的技术:在AsCl_3/Ga/In/H_2体系中,采用Ga/In合金源汽相生长Ga_xIn_1As。该方法具有外延层组分重复可控、均匀性好的特点;且易于获得高纯外延Ga_xIn_(1-xAs层。外延Ga_(0.47)In_(0.53)As电学参数最佳值已达:n300K=1.2×10^(15)cm^(-3),μ300K=9580cm^2/V·s;n77K=1.1×10^(15)cm^(-3),μ77K=3.82×10~4cm^2/V·s。