单晶Tm_2O_3薄膜的制备与F-N隧穿机制

杨百良; 杨晓峰; 刘士彦

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单晶Tm_2O_3薄膜的制备与F-N隧穿机制

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采用分子束外延方法结合原位退火生长技术在Si(001)衬底上制备了Tm2O3薄膜,XRD测量结果表明所制备样品为单晶Tm2O3.在低温环境下,采用MOS电容结构对薄膜进行I-V测试,研究了样品的F-N隧穿特性,得出Pt/Tm2O3和Al/Tm2O3的势垒高度分别为2.95,1.8eV.从能带的角度表明Tm2O3是一种高K栅介质候选材料.

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来源
《河北师范大学学报：自然科学版》|2013年第2期|149-152|共4页
作者
杨百良; 杨晓峰; 刘士彦;
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作者单位

绍兴文理学院物理与电子信息系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O766.3;
关键词
分子束外延; 单晶Tm2O3; F—N隧穿特性; 高K栅介质材料;
入库时间 2022-08-20 21:24:43

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