Mn及其它元素共掺杂对稀磁半导体形貌和磁性的影响

摘要

采用水热法,以3 mol/L KOH为矿化剂,填充度35%,温度430℃,通过添加适量比例的MnCl2及CoCl2、CuCl2、SnCl2等作为前驱物,合成了稀磁半导体晶体.与单独掺杂Mn离子的稀磁半导体相比,共掺杂除了对晶体形貌产生较大影响外,并没有使室温磁性有所增加.