可接受掺杂比对掺杂晶体AgGa1-x Inx Se2频率转换的影响

姬广举; 尹伊; 黄金哲; 沈涛

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可接受掺杂比对掺杂晶体AgGa1-x Inx Se2频率转换的影响

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为了研究掺杂比及可接受掺杂比对晶体AgGa1-xInxSe2频率转换的影响,依据可接受掺杂比的理论和晶体Sellmeier方程,给出了光学二次谐波产生(SHG)和Nd3+:YAG(1.06靘)与Ho3+:ILF(2.08靘)激光泵浦光学参量振荡器(OPO)的调谐曲线可接受掺杂比.该结论可用于AgGa1-xInxSe2晶体生长与应用.

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来源
《哈尔滨理工大学学报》 |2007年第6期|51-54|共4页
作者
姬广举; 尹伊; 黄金哲; 沈涛;
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作者单位

哈尔滨理工大学,应用科学学院,黑龙江,哈尔滨,150080;

黑龙江省水利工程技术学校,黑龙江,肇东,151100;

哈尔滨理工大学,应用科学学院,黑龙江,哈尔滨,150080;

哈尔滨理工大学,应用科学学院,黑龙江,哈尔滨,150080;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类合频效应;
关键词
可接受掺杂比; 相位匹配; AgGa1-xInxSe2;

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