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何丹; 孙玲玲;
杭州电子科技大学CAD所;
射频; 高电阻率; 寄生效应;
机译:将1.55μmInGaAsP / InP激光器掩埋在半绝缘InP衬底上的高电阻外延层中
机译:B. Galieva,A. Ji的修正案。 Vasilyeva,R.M.Maumova,E. A.Klimova,P.P.P.Maltseva,S.S.Pushkareva,M. Yu。Presnyakova,I. N.Trunkin“Inalas / Ingaas / Inalas Hemg的结构和电神科性质,在量子坑中的INP基材上的InP衬底上的InP衬底的结构和电神经性质。” 2014. T. 59.第6号。第6. P. 990-998
机译:(311)A非平面InP衬底上的沟槽型InGaAs量子线FET的负差分电阻
机译:P型高电阻率硅衬底上MOS电容电容电压表征
机译:MOCVD在平面和纳米硅衬底上InP的异质外延优化。
机译:Nb-SrTiO3衬底上高密度BiFeO3纳米电容器阵列中的电流整流和电阻切换
机译:使用简单的基底倾斜法对INP(111)B衬底上的自催化INP / INAS / INP一维纳米结构的拉曼光谱特征
机译:通过金属有机分子豆外延生长在Ge / p共注入Inp衬底上的Inp / InGaas异质结双极晶体管。
机译:在GaAs和InP衬底上形成原子光滑的InGaP和InP阻挡层的半导体异质结构的方法
机译:InP衬底上的AlPSb / InP单异质结双极晶体管,用于高速,高功率应用
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