陶瓷Al4C3薄膜厚度依赖的场发射特性研究

摘要

采用简单的热化学输运方法,通过控制生长温度和时间,在钨箔上制备了不同厚度的Al4C3薄膜.通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和拉曼光谱分析等手段对样品的形貌和结构进行了系列表征.场电子发射测试表明,厚度为300nm、600nm和1000nm的Al4C3薄膜的开启电压分别为4.2V/μm、5.8V/μm和8.6V/μm(发射电流10A/cm^2).这种现象可归因于绝缘Al4C3层的厚度和空间电荷效应引起的电子输运能力差异.