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崔岷; 黎仁凯;
北京大学历史系;
北京100871;
河北大学历史系;
河北保定071002;
洪仁Gan; 研究; 太平天国; 资政新篇;
机译:练习述评:规划和城市研究现场实验述评
机译:研究i-GaN,n-GaN,p-GaN和InGaN盖层对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的影响
机译:具有PD / GaN和Pd / Al_2O_3 / GaN栅极结构的AlGaN / Aln / GaN高电子迁移率晶体管的比较研究
机译:集成GaN交换机模式放大器的数字发射机近期开发述评
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:区域研究述评述评中国区域发展述评
机译:空军内部实验室的研究技术耦合。 1964年7月社会科学研究发现述评
机译:描述评估方法,描述评估装置和描述评估程序
机译:GaN晶体,GaN自支撑衬底,用于GaN晶体生长的籽晶衬底,GaN晶体制造方法和GaN自支撑衬底制造方法
机译:n型GaN晶体,GaN晶片和GaN晶体,GaN晶片和氮化物半导体器件的生产方法
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