硫化时间对FeS2薄膜结构和性能的影响

摘要

在硫化温度为653 K和硫化时间分别在3、6和12h的条件下,用硫化铁膜法制备FcS2薄膜.通过对不同条件下制备的薄膜成分、结构和光电性能研究表明:当硫化时间大于6 h时,薄膜的成分接近理想化学配比,直接光学能带间隙大约为1.15～1.17 eV,电阻率约为1.3 Ω·cm.