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翁臻臻; 黄志高;
福州大学物理与信息工程学院;
福建福州350108;
福建师范大学物理系;
福建福州350007;
ZnO; 稀磁半导体; 第一性原理; 磁特性;
机译:氧空位对钴掺杂zno稀磁半导体磁性能的影响
机译:氧退火对ZnO:Cu和ZnO:(Cu,Al)稀磁半导体的影响
机译:氧空位在基于ZnO的稀磁半导体中磁耦合中的微弱作用
机译:第一性原理研究单个锌或氧空位对Ⅴ掺杂ZnO的电子和光学性质的影响
机译:本征空位硫族化物作为稀磁半导体:过渡金属掺杂硒化镓的理论研究。
机译:具有表面氧空位的高效TiO2 / ZnO纳米膜用于染料降解
机译:具有表面氧空位的高效TiO2 / ZnO纳米膜,用于染料降解
机译:ZnO:al掺杂水平和氢生长环境对CIGs太阳能电池性能的影响:预印
机译:稀磁半导体ZnO单晶
机译:用于光电探测器的Al ZnO UV衬底,包括Al和ZnO和ZnO的异质结构和包括相同的UV光电探测器
机译:terminal基氧化物中的氧空位陷阱形成的三端熔断器结构
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