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黄世震; 翁坤;
福州大学福建省微电子集成电路重点实验室;
福建福州350002;
SOI; LDNMOS; 流片; 击穿电压;
机译:基于纳米SOI MOSFET的高密度集成电路环形振荡器电路的设计与分析
机译:基于纳米SOI MOSFET基环形振荡器电路的设计与分析,用于高密度ICS
机译:基于纳米级凹陷-S / D SOI MOSFET的伪NMOS逆变器设计与分析低功耗电子产品
机译:重复ESD应力下600V SOI-LIGBT的电参数劣化研究
机译:基于SOI的完全集成制造工艺,用于高纵横比微机电系统。
机译:先进的无液压阻基于SOI的压力传感器用于恶劣环境下的测量
机译:通过带陷阱的600V横向SOI PiN二极管反向恢复期间的“ EMI抑制设计”
机译:使用sOImUmps工艺制造的mEms定向声音传感器的表征;硕士论文
机译:工艺设计与分析方法
机译:化学工艺放大和初步设计与分析的系统和方法
机译:在沟道下的底切区域中具有压缩膜的基于SOI的场效应晶体管及其制造方法
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