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张中太;
清华大学材料系;
PTCR材料; 半导体陶瓷 ; 钛酸钡 ; 钇; 铌; 锰; 掺杂 ;
机译:锰离子分布对Mn掺杂(Baby)TiO3 PTCR陶瓷性能的影响
机译:通过直接测量,在Mn2 +掺杂无铅(BASR)TiO3陶瓷中增强了室温的电热效应
机译:掺杂Nb5 +和Mn2 +对Ba_(0.92)Ca_(0.05)(Bi_(0.5)Na_(0.5))_(0.03)TiO_3陶瓷PTCR效应的影响
机译:Nb掺杂和Nb-Mn掺杂的BaTiO_3-(Bi_(0.5)Na_(0.5))TiO_3无铅PTCR陶瓷的电性能
机译:宽带隙钙钛矿氧化物的分子束外延:(Ba,Sr)TiO3和BaSnO3
机译:新型无铅Bi0.5(Na0.40K0.10)TiO3-(Ba0.7Sr0.3)TiO3压电陶瓷的研究
机译:Eu-掺杂的K0.5na0.5nBO3-(BA,SR)TiO3:一种新型无铅发光铁电透明陶瓷,具有可逆光学变色
机译:室温薄膜Ba(x)sr(1-x)TiO3 Ku波段耦合微带相移器:膜厚度,掺杂,退火和基板选择的影响
机译:TiO3电介质薄膜形成的(Ba和Sr)成分以及TiO3的(Ba和Sr)形成方式
机译:包含主要成分的介电陶瓷:a£(SrbCa1-b)TiO3 |-(1-a)£Bi2O3n&midTiO2 | xMgTiO3-yMnOm-zLn2O3和陶瓷电子成分表示的分子和子成分
机译:(ba.sub.1-x Sr.sub.x)RuO.sub.3 /Ba.sub.1-x Sr.sub.x)TiO3 /(Ba.sub.1)的金属有机化学气相沉积-x SRx)RuO.sub.3电容器,用于高介电材料
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