ECR-PECVD制备氮化硅薄膜的键态结构

吴先球; 陈俊芳; 熊予莹; 吴开华; 任兆杏

首页> 中文期刊> 《功能材料》 >ECR-PECVD制备氮化硅薄膜的键态结构

ECR-PECVD制备氮化硅薄膜的键态结构

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

用红外光谱和拉曼光谱分析了用低温电子回旋共振等离子体CVD技术制备的Si3N4薄膜的键态结构.结果表明Si3N4薄膜主要由Si-N键结构组成,还含有Si-H和Si-O-Si键结构.随着沉积温度的提高,Si3N4薄膜中的Si-H键减少,氢含量降低.可利用提高沉积温度来减少Si3N4薄膜中的氢含量.在沉积温度为420℃时Si3N4薄膜的Raman光谱在短波方向出现一新的展宽的拉曼散射峰.

著录项

来源
《功能材料》 |2003年第1期|108-109|共2页
作者
吴先球; 陈俊芳; 熊予莹; 吴开华; 任兆杏;
展开▼
作者单位

华南师范大学,物理系,广东,广州,510631;

华南师范大学,物理系,广东,广州,510631;

华南师范大学,物理系,广东,广州,510631;

华南师范大学,物理系,广东,广州,510631;

中国科学院等离子体物理研究所,安徽,合肥,230031;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类与物质的相互作用;
关键词
氮化硅; 薄膜; 键态结构; ECR-PECVD;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 氨气流量对富硅氮化硅薄膜键态的分析 [J] . 部芯芯 ,周炳卿 ,乌仁图雅 . 信息记录材料 . 2016,第001期
2. Ar流量对ECR-PECVD制备氢化纳米晶硅薄膜结构及性能影响研究 [J] . 张学宇 ,吴化 ,刘耀东 . 人工晶体学报 . 2013,第9期
3. 氢流量对富硅-氮化硅薄膜键结构及光学性质的影响 [J] . 乌仁图雅 ,周炳卿 ,张林睿 . 人工晶体学报 . 2015,第12期
4. ECR-PECVD制备n型微晶硅薄膜的研究 [J] . 张学宇 ,吴爱民 ,冯煜东 . 人工晶体学报 . 2010,第4期
5. ECR-PECVD方法低温制备多晶硅薄膜 [J] . 冯庆浩 ,秦福文 ,吴爱民 . 半导体技术 . 2006,第5期
6. Ar流量对ECR-PECVD法制备微晶硅薄膜的影响 [C] . 程华 ,王萍 ,石安平 . 第十二次全国机械维修学术会议 . 2011
7. 以硅烷为气源用ECR-PECVD制备多晶硅薄膜 [A] . 王阳 . 2006

ECR-PECVD制备氮化硅薄膜的键态结构

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅