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化学镀铜在超大规模集成电路中的应用和发展

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摘要

随着集成电路的特征尺寸减小至深亚微米以下,互连延迟成为集成电路性能进一步提高的主要障碍.为解决互连延迟带来的危机,国际上已开发出以铜为互连材料,大马士革工艺为制造方法的铜互连工艺以取代亚微米时代的铝互连工艺.本文介绍了大马士革工艺中铜金属化以及阻挡层的研究现状.

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来源
《功能材料》|2004年第z1期|1049-1053|共5页
作者
杨志刚; 钟声;
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作者单位

清华大学,材料科学与工程系,北京,100084;

清华大学,材料科学与工程系,北京,100084;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类理论;
关键词
超大规模集成电路; 金属化; 铜互连; 阻挡层;
入库时间 2023-07-24 20:45:43

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