Cu/Ag导电薄膜与高阻CdZnTe的接触性能研究

孙金池; 刘正堂; 张兴刚; 崔虎; 李阳平

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Cu/Ag导电薄膜与高阻CdZnTe的接触性能研究

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采用射频磁控溅射法在高阻Cd0.9Zn0.1Te上制备了Cu/Ag导电薄膜,通过测量I-V曲线来评价接触性能.讨论了溅射功率和衬底温度对接触性能的影响,结果表明在两种不同功率下制备的薄膜不经过热处理已具有良好的欧姆接触性能,随着衬底温度的升高欧姆接触性能有所下降.通过对衬底的表面处理降低了表面漏电流.对试样进行退火处理使接触性能有所改善,退火温度在300℃时的接触性能要好于420℃.利用红外透过率来验证了退火温度范围及所选择加热衬底温度对高阻Cd0.9Zn0.1Te衬底没有影响.

著录项

来源
《功能材料》|2005年第8期|1189-1191,1195|共4页
作者
孙金池; 刘正堂; 张兴刚; 崔虎; 李阳平;
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作者单位

西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072;

西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072;

西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072;

西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072;

西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类溅射;
关键词
Cu/Ag导电薄膜; Cd0.9Zn0.1Te晶体; 接触; 磁控溅射;
入库时间 2022-08-17 16:31:23

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