用于HIT太阳能电池的本征非晶硅薄膜

摘要

带本征薄层的异质结（HIT）太阳能电池要求本征非晶硅薄膜具有生长速率低，暗电导大，光学带隙宽的特点。采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）制备符合HIT太阳能电池要求的本征非晶硅薄膜，并通过分析薄膜的透射光谱，采用Tauc法计算了薄膜的光学带隙，为约1．87eV，衬底温度为180℃，放电功率为80W时获得的薄膜性能最佳。