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机译:非晶硅和隧穿在本征薄层(HIT)太阳能电池异质结中的作用
National Renewable Energy Laboratory, Golden, Colorado 80401, USA Colorado State University, Fort Collins, Colorado 80523, USA;
National Renewable Energy Laboratory, Golden, Colorado 80401, USA;
机译:模拟和研究缓冲本征层,背面电场,界面缺陷密度,p型硅衬底和透明导电氧化物的电阻对本征太阳能电池异质结的影响
机译:界面反转层在改善氢化非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池性能方面的可能作用[HIT]
机译:用于晶体硅异质结太阳能电池的本征非晶硅氧化物和非晶硅叠层钝化层
机译:用于异质结硅片太阳能电池的薄本征非晶硅缓冲层的优化
机译:基于具有固有薄层(HIT)结构的异质结的径向结太阳能电池。
机译:SiNx阻挡层对聚酰亚胺Ga2O3掺杂的ZnO p-i-n氢化非晶硅薄膜太阳能电池性能的影响
机译:晶体非晶硅异质结太阳能电池中本征a-Si:H钝化层的优化
机译:富含缺陷外延对晶体硅/非晶硅异质结太阳能电池的影响及低迁移率层用于提高性能。