低磁场条件下（Gd1-xREx）5Si4（RE：Dy,Tb；x=0、0.1、0.125、0.15）合金磁热效应研究术

摘要

用高频真空悬浮炉在氲气保护下制备了（Gd1-xREx）5Si4（RE：Dy,Tb；x=0、0.1、0.125、0.15）和（Gd1-xREx）5Si4（x=0.1、0.125）合金样品，用直接测量方法测定了在永磁体提供的低磁场（H=1．3T）条件下样品的磁热效应曲线（△Tab-T）；结果表明，用稀土金属Dy、Tb分别部分替代Gd5Si4合金中的Gd原子，不能增强合金的磁热效应，但可在333～300K范围改变材料的居里温度，且磁热效应峰值范围变宽．