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檀柏梅; 牛新环; 时慧玲; 刘玉岭; 崔春翔;
河北工业大学微电子研究所,天津300130;
化学机械抛光; 纳米磨料; 粒径; 浓度; 去除速率;
机译:用于CMP的球形二氧化铈包覆的二氧化硅纳米颗粒磨料的制备
机译:二氧化硅/二氧化铈纳米复合磨料的制备及其在硬盘基底上的CMP性能
机译:具有二氧化硅磨料颗粒的ILD CMP:CMP垫的孔径对去除速率分布的影响
机译:Ulsi中的CMP浆料用二氧化硅溶胶大颗粒胶体纳米磨料
机译:用于铜CMP的聚氨酯垫中的纳米磨料保留和去除机理。
机译:二氧化硅支撑的二氧化钛-氧化锆纳米复合材料:不同介质中的结构和形态特征
机译:稀释二氧化硅浆料和磨料对CMP特性的影响
机译:介孔二氧化硅介质浸渍金属氧化物纳米粒子去除砷
机译:用于CMP水分散体的CMP CMP二氧化硅和用于CMP的二氧化硅的生产方法
机译:化学机械平面化中的纳米级二氧化硅涂层的Alpha氧化铝磨料
机译:抛光晶片,例如半导体,涉及使用悬浮液中基于金刚石颗粒的磨料进行抛光,其中使用的磨料混合物可实现金刚石/二氧化硅体积比可控的金刚石颗粒和二氧化硅颗粒
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