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徐进霞; 任峰; 肖湘衡; 蒋昌忠;
武汉大学东湖分校物理教研室,湖北武汉430212;
武汉大学物理科学与技术学院,湖北武汉430072;
离子注入; 纳米颗粒; 表面等离子体共振吸收; 退火;
机译:高能离子注入法在单晶MgO中制备Ag纳米团簇
机译:单晶AgGaGe_3Se_(7.6)Te_(0.4)固溶体的光吸收,压电效应和二次谐波的研究
机译:退火对MgO单晶中Ni纳米颗粒光吸收的影响
机译:通过200keV和1 MeV Ni离子注入的MgO单晶中的辐射诱导的效果
机译:硫化铜(2-X)/硫化镉单晶异质结的形成和降解:高分辨透射电镜研究(界面)。
机译:纳米压痕和透射电镜研究氦离子注入EUROFER97和EU-ODS EUROFER的辐照后退火后的空腔命运
机译:Ag 0.95 Cu 0.05 GaGe 3 Se 8,AgGa 0.95 In 0.05 Ge 3 Se 8和AgGaGe 2.85 Sn 0.15 Se单晶的光吸收系数研究8
机译:DT融合中子照射BNL单晶al sub 2 O sub 3,ORNL mgO晶体和LasL 90exp 0sapphire,O exp 0sapphire,spinel和YaG。
机译:在其上生长单晶金刚石的基础材料包括基础衬底,键合的单晶MgO层和异质外延膜,以及在该基础材料上制造单晶金刚石衬底的方法
机译:单晶碳化硅衬底的表面改性方法,单晶碳化硅薄膜的形成方法,单晶碳化硅衬底和离子注入退火方法,单晶碳化硅半导体衬底
机译:单晶碳化硅衬底的表面重整方法,单晶碳化硅薄膜的形成方法,离子注入和退火方法,以及单晶碳化硅衬底和单晶硅碳化硅衬底
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