混合磨料对LED用蓝宝石衬底CMP质量的影响

摘要

分析了混合磨料在蓝宝石衬底化学机械抛光（CMP）过程中的作用机理，并对比了SiO2水溶胶磨料和SiO2与Al2O3混合磨料对蓝宝石衬底去除速率的影响。研究表明，在主磨料SiO2水溶胶中加入浓度为20mL／L同粒径纳米级的Al2O3可以使CMP过程中的化学作用与机械作用达到相互平衡，使抛光去除速率得到明显提高。在距抛光终点5～10min通过调整工艺参数与抛光液配比，使表面粗糙度由2．32nm降至0．236nm。