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刘洋; 徐晓峰;
东华大学理学院,上海201620;
VO_2薄膜; 相变; 空气环境; 氧化; 方块电阻;
机译:以Al_2O_3为缓冲层的VO_2薄膜的远红外透射率和金属-绝缘体相变特性
机译:Cr掺杂引起的M2相VO_2薄膜的太赫兹透射率和金属-绝缘体相变特性
机译:蓝宝石(001)上生长的VO_2薄膜中大晶域的出现及其相变特性
机译:Nb掺杂对离子束共溅射沉积制备的VO_2薄膜相变性能的影响
机译:含荧光团的聚合物薄膜的制备,取向和理化特性的研究。
机译:脉冲激光沉积制备6H-SiC(0001)衬底上VO2薄膜的增强的相变特性
机译:通过脉冲激光蒸发和Tl测量制备高纯度的高纯度薄膜,制备高纯度的薄膜,制备高纯度的薄膜,制备高纯度的薄膜,制备高纯度的薄膜,薄膜,薄膜,薄膜,薄膜,薄膜,薄膜,薄膜等。 u3csup \ u3e2 \ u3c / sup \ u3eO \ u3csup \ u3e3 \ u3c / sup \ u3e蒸汽处理
机译:在准静态加载条件下极化“化学制备”pZT 95 / 5-2Nb陶瓷的相变。
机译:沉积原子层以改善薄膜特性的方法,所述薄膜特性可在低温步骤和高温步骤多次重复一次一次强化沉积循环的情况下重复强化沉积循环
机译:TE前驱物,使用该TE前驱物制备的含TE的硫族化物薄膜层,该薄膜层的制备方法和相变存储器
机译:制造薄膜结构的方法,使用该薄膜结构的存储节点的方法,使用该薄膜结构的相变随机存取存储器的制造方法,使用该薄膜结构的相变随机存取存储器的存储节点
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