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孙志卓; 于瑞玲; 刘利东; 杨建; 刘树海; 孙寿龙;
德州学院 计算机与信息学院 山东 德州 253000;
计算机组成原理; 存储器; SRAM; NMOS;
机译:cNV SRAM:基于CMOS技术的基于非易失性SRAM的超低泄漏能量混合存储系统
机译:基于纳米技术中改进的门扩散输入(m-GDI)方法的低功耗,高读取稳定性三元SRAM(T-SRAM)存储器的新颖设计
机译:NMOS Body-Bias的CMOS SRAM Puf温度诱导翻转比特的补偿
机译:仅基于NMOS施密特触发器的SRAM单元
机译:基于SRAM的片上存储器的轻量级容错
机译:通过利用照射暴露来提高基于SRAM的真实随机数发生器的性能
机译:双存储端口非挥发性SRAM基于后端 - 线路处理的HF0.5ZR0.5O2铁电电容朝向3D选择器的交叉点存储器
机译:sEU(单事件翻转)容忍存储器单元源自sRam中的sEU机制的基础研究(静态随机存取存储器)
机译:基于NAND的NMOS NOR闪存存储单元,基于NAND的NMOS NOR闪存存储阵列以及形成基于NAND的NMOS NOR闪存存储阵列的方法
机译:基于NAND的NMOS NOR闪存单元,基于NAND的NMOS NOR闪存阵列以及形成基于NAND的NMOS NOR闪存阵列的方法
机译:基于NAND的NMOS NOR闪存单元,基于NAND的NMOS NOR闪存阵列以及形成基于NAND的NMOS闪存阵列的方法
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