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高静; 李勇军;
河南财经学院成功学院信息工程系;
451200;
SRAM; 存储器容量; 字扩展; 位扩展; 字位同时扩展;
机译:具有高随机访问带宽和大存储容量的片上数据存储区域有效的多端口SRAM
机译:基于纳米技术中改进的门扩散输入(m-GDI)方法的低功耗,高读取稳定性三元SRAM(T-SRAM)存储器的新颖设计
机译:基于电源电压控制(RRDV)逐行降低SRAM泄漏功率的方法-旨在产生0.5V的高速SRAM
机译:基于SRAM基于SRAM的在线地理检测和位置的新方法,以及SRAM的FPGA
机译:基于SRAM的FPGA的测试方法。
机译:通过利用照射暴露来提高基于SRAM的真实随机数发生器的性能
机译:具有3.1E-10的基于SRAM的SRAM基于SRAM的PUF和65nm中的21个FJ /位的能量
机译:基于商用sRams中mOsFET阵列的阈值偏移的剂量测量
机译:电子系统存储容量扩充的存储器单元
机译:存储容量扩充板
机译:基于精度存储容量权衡的神经网络存储设备和信息自动分配及可变存储容量的操作方法
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