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吴永敏; 梅建庭;
不详;
化学镀; 均匀性; 共析温度; 复合镀层;
机译:化学复合镀(Ni-P-SiC)层力学性能的实验研究
机译:应力/应变测量:化学复合镀层(Ni-P-SiC)力学性能的实验研究
机译:护士领袖在护理团队工作负荷学习关系中的智力刺激的重要性:横断面研究(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)和X667a ;(SiC)&X523a;(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)&X961F;(SiC)(SiC)(SiC) - (SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC )(SiC)(SiC)(SiC)(SiC):( siC)&x6a2a;&x65ad;(siC)(siC)(siC)
机译:形成均匀接口Ni / 4H-SiC欧姆接触钛作为阻挡层
机译:模拟和比较3C-SiC,6H-SiC和4H-SiC纳米线的性能。
机译:交叉层C / SiC与SiC / SiC陶瓷基复合材料的循环磁滞行为比较
机译:在4H-SiC衬底上部分形成的8H-SiC层上局部肖特基势垒高度变化揭示了自发极化对SiC中堆叠顺序的依赖性
机译:siC衬底上生长的外延3C-siC,4H-siC和6H-siC薄膜缺陷的研究
机译:sic的enkristall,生产sic的sic,sic的方法-带外延层的记录,制造具有外延层的sic盘的方法以及基于sic的电子设备
机译:表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
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