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0.6μm CMOS工艺迟滞比较器的失配分析

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本文对一个采用0.6μm CMOS工艺的迟滞比较器的失配性能进行了理论分析,探讨了关键部件的尺寸失配对该比较器迟滞性能的影响.Hspice仿真证明了理论分析的正确性;Monte Carlo仿真进一步分析了该比较器性能对失配参数的敏感性.本文的工作为今后的抗失配设计改进提供了方向.

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来源
《电路与系统学报》 |2009年第3期|87-91,44|共6页
作者
焦阳; 王志功; 徐建;
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作者单位

东南大学,射频与光电集成电路研究所,江苏,南京,210096;

东南大学,射频与光电集成电路研究所,江苏,南京,210096;

江苏新志光电集成有限公司,江苏,南京,210018;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型 ;
关键词
失配 ; CMOS工艺 ; 迟滞比较器; Monte ; Carlo分析;

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