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ThSiO4晶体中Yb3+离子的自旋哈密顿参量的理论研究

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摘要

从晶体场理论出发,用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量,计算了ThSiO4晶体中四角对称的yb3+离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子,计算结果与实验很好地符合,并对结果进行了讨论.

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来源
《重庆邮电大学学报（自然科学版）》|2005年第2期|144-146|共3页
作者
董会宁; 蔡雪梅; 邬劭轶;
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作者单位

重庆邮电学院,信息电子学研究所,重庆,400065;

中国科学院,国际材料物理中心,辽宁,沈阳,110016;

重庆邮电学院,信息电子学研究所,重庆,400065;

重庆邮电学院,信息电子学研究所,重庆,400065;

电子科技大学;

物理电子学院;

四川;

成都;

610054;

中国科学院,国际材料物理中心,辽宁,沈阳,110016;

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正文语种 chi
中图分类晶体的磁学性质;
关键词
电子顺磁共振; 晶体场理论; ThSiO4; Yb3+;

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