Al_2O_3晶体中Cu^(3+)离子自旋哈密顿参量及其局域结构研究

摘要

利用自旋哈密顿理论,在建立Al_2O_3：Cu^(3+)晶体结构和自旋哈密顿参量之间的定量关系的基础上,采用掺杂离子位移模型,统一计算了Al_2O_3：Cu^(3+)晶体的自旋哈密顿参量,解决了前人工作中可调参量过多的问题。理论结果与实验数据符合很好,说明采用的模型是合理的。结果表明,Cu^(3+)离子掺入Al_2O_3基质晶体后,并没有准确占据Al^(3+)格位,而是沿C_3轴移动了0.0179nm。