离子束抛光硅片纳米级微观形貌的原子力显微镜研究

摘要

本文报道了用原子力显微镜（ＡＦＭ）研究多种Ａｒ＾＋离子抛光参数Ｓｉ（１１１）表面的微观粗糙度和三维微观形貌特征，发现用于离子束抛光方法可以显著地改善硅片表面的微观粗糙度，抛光效果与离子束能量，束流强度，抛光时间和束流入射角度等有关，用４００ｅＶ离子能量，１００ｍＡ束流强度，６０°入射角离子束照射２小时后再改用３５０ｅＶ，８０ｍＡ束流强度以同样入射角照射２小时的样品，在１μｍ×１μｍ范围表面微观粗糙