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砷化镓光导开关中流注辐射实验理论分析

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分析了高增益砷化镓光导开关中流注一端的辐射复合实验现象,首次引入了单色光(890 nm)的辐射复合系数,导出了流注顶部的单色光自发辐射公式.比较理论计算结果与实验观测结果,两者很好符合,证明了流注顶部的单色光自发辐射模型的合理性.

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来源
《成都大学学报：自然科学版》 |2012年第2期|133-135|共3页
作者
刘鸿; 郑理; 程浩; 杨维; 杨洪军; 郑勇林; 陈斌; 宋刚;
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作者单位

成都大学电子信息工程学院;

成都电子机械高等专科学校;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器件;
关键词
砷化镓光导开关; 流注; 辐射复合系数; 辐射模型;

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