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谭秋林; 张文栋; 薛晨阳; 刘俊; 李都泓; 熊继军;
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室 太原030051;
电子测试技术国家重点实验室 太原030051;
多层薄膜; 热释电; 溶胶-凝胶; 拉曼; X衍射分析;
机译:SiO2 / Si3N4膜上PZT / Pt / Ti / Th薄膜的化学湿法刻图
机译:在硅基底上形成SiO2 / Si3N4 / SiO2正负电极
机译:使用化学计量和胁迫降低的Si3N4 / SiO2 / Si3N4多层膜的膜筛的构建及其在血浆分离中的应用
机译:SiO2 / Si和Si3N4 / SiO2 / Si纳米界面的折射率和界面态的实验和计算研究
机译:基于光学UVC锰的光学UVC光学光导的加工和应用SiO2光导=光学UVC气体传感器技术的SiO2基于SiO2的波导
机译:SiGe HBT局部应力过程中Au / Pt / Ti-Si3N4界面缺陷和反应的STEM纳米分析
机译:通过金属有机溶液分解在Pt / Ti / SiO2 / Si(100)上生长在Pt / Ti / SiO2 / Si(100)上生长的高度取向BI3.25LA0.75Ti3O12的无疲劳性能
机译:应变对Ls-mOCVD在pt / siO2 / si上生长的(Ba,sr)Ti1 + xO3薄膜介电性能的影响
机译:使用多层SiO2和Si3N4限制氢离子扩散
机译:在高温下以BCl3为基的刻蚀化学腐蚀对Si3N4具有高选择性的SiO2以及腐蚀对SiO2具有高选择性的金属氧化物
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