荷电膜渗透传质过程的计算机模拟:一价离子的传递

摘要

以渗透理论的方法研究一价离子通过荷电膜的传质机理,用计算机编程模拟一价带电离子通过荷电膜的过程以研究荷电膜中导电性能和荷电组分含量的关系.模拟结果表明,对于二维格栅体系在荷电组分含量为0.4～0.6时,膜导电性能存在渗透突跃现象;而对于三维格栅体系则在0.1～0.2时存在渗透突跃现象,此结果和Monto Carlo的二维、三维随机模拟结果比较接近.由于实际的荷电膜也可看作为三维格栅体系,因此,可用三维格栅体系程序对不同荷电分率膜的电导数据进行拟合,结果表明,对于实际的磺化聚苯硫醚(SPPS)/聚醚砜(PES)共混膜,当荷电组分SPPS的分率达到0.144时,共混膜即会从不良导体变为良导体,显然该值落在理论值0.1～0.2,因此,理论模拟结果与实际荷电膜传质的实验数据相吻合.