首页> 中文期刊>化学物理学报 >通过氧化物前驱体非真空方法制备高质量CuInSe2薄膜

通过氧化物前驱体非真空方法制备高质量CuInSe2薄膜

     

摘要

通过非真空工艺利用CuO、In2O3混合氧化物制各CuInSe2薄膜太阳能电池中的吸收层CuInSez薄膜,利用柠檬酸法制钎出粒径在100nm以下的CuO、In2O3混合氧化物纳米粉,在浆料中加入过量的硒,用来创造非平衡的反应条仆促进氧化物的还原和硒化.考察了影响硒化的几个反应条件,最优的硒化条件为1.9kPa的Se蒸汽压中,550℃硒化60min.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号