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司磊; 刘国军; 王玉霞;
长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022;
半导体; 激光器; 薄膜;
机译:基于腔内接触结构的低阈值和大功率氧化物限制的850 nm AlInGaAs应变量子阱垂直腔表面发射激光器
机译:通过向大发射面积内均匀注入电流来实现具有五个量子阱的高脉冲功率(49W)垂直腔面发射激光器(具有五个量子阱)
机译:大功率垂直腔面发射激光器系统-用于热处理和泵浦固态激光器的新解决方案
机译:具有量子阱和外部镜的谐振腔的垂直腔面发射激光器的3D模型
机译:大功率单模垂直腔面发射激光器。
机译:电注入II型(GaIn)As / Ga(AsSb)/(GaIn)As W型量子阱激光器的高温工作发射出1.3 µm量子阱激光器
机译:高灵敏度时间分辨腔内激光傅里叶变换 垂直腔面发射多量子阱的光谱学 激光器
机译:采用molecularBeam外延再生的InGaas-Gaas量子阱垂直腔面发射激光器
机译:腔内量子阱吸收器的垂直腔面发射激光器
机译:带有腔内量子阱光吸收器的垂直腔面发射激光器
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