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陈潇潇; 姚治海; 陈小云;
吉林师范大学,四平136000;
长春理工大学,长春130022;
中科院,长春光机所,长春,130033;
光折变效应; LiNbO3:Fe晶体; 平面光波导折射率;
机译:通过MeV N〜+离子的双能注入抑制Er:TeO_2-WO_3玻璃和CaF_2晶体中写入的平面光波导中的泄漏模式
机译:晶体LiNbO3:Zn(4.5),LiNbO3:Mg:Fe(5.01,0.005),LiNbO3:Mg(5.1)和LiNbO3:Mg(5.3摩尔%)的拉曼光谱
机译:电子束域在缩小的LINBO3晶体中写入
机译:“光学损伤”晶体斑纹斑块晶体奇异性的拓扑偏爱动力学,在“光学损伤”中的光折射型LiNBO3:Fe水晶
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:二十面体准晶体的统一结构理论:来自中子粉末衍射图的证据表明AlCrFeMnSiAlCuLiMg和TiNiFeSi二十面体准晶体是立方晶体的孪晶在原始单位立方体中包含约820或1012个原子
机译:LiNbO3:Ti:Fe平面光波导中暗电导率的全息测量1
机译:Ti的光沉积及其在直接写入Ti:LiNbO3波导中的应用。
机译:试管中是否包含例如在实验室中待分析的血液具有读取和/或写入单元,该读取和/或写入单元读取和/或写入存储在和/或将要存储在芯片中的标识符,其中该单元位于管的循环路径中
机译:用于使用P型场效应晶体管(PFET)写入端口的存储位单元的字线负升压写入辅助电路以及相关系统和方法
机译:用于采用P型场效应晶体管(PFET)写入端口的存储位单元的负电源轨正升压写入辅助电路以及相关系统和方法
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